【电信学院】GaN基半导体发光二极管的结构优化和分析

讲座标题:【电信学院】GaN基半导体发光二极管的结构优化和分析

主讲人: 夏长生

讲座时间:2020-01-06 10:00:00

讲座地点:临港校区电计楼B402

讲座语言:中文

主办单位:电子与信息工程学院


讲座内容:

  半导体器件仿真在半导体器件研发和生产中起着重要作用,是分析器件物理机理,优化器件结构,提高器件性能,降低生产成本的有效工具。Crosslight软件产品采用有限元分析方法,结合多种先进物理模型,实现对发光二极管、探测器、太阳能电池、激光器、调制器、放大器、光子集成等各类光电子器件的模拟和仿真,在业界和科研院所得到了广泛的应用。针对GaN基半导体发光二极管的光电特性,我们采用Crosslight软件优化了量子势垒层和AlGaN电子阻挡层的结构设计,极大地提高了GaN基半导体发光二极管的发光效率;研究了GaN基半导体发光二极管中的最佳量子阱个数,分析了多量子势垒层和AlGaN电子阻挡层对载流子的限制作用。相关研究结果对理解GaN基半导体发光二极管中载流子的传输过程,提高其发光效率具有重要作用。


主讲人简介:

夏长生,理学博士,于2007年毕业于中国科学院欧洲冠军技术物理研究所,微电子学与固体电子学专业,于同年加入Crosslight 中国分公司,现任技术总监,主要从事软件模块开发、软件测试、技术服务、软件培训和器件仿真工作,具有丰富的化合物半导体器件仿真和设计经验,以第一作者在Applied Physics Letters (4篇)、 Journal of Applied Physics (1篇)、Optical and Quantum Electronics (2篇)和IEEE Journal of Quantum Electronics (1篇)等国际杂志发表研究论文。

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